Vishay N Kanal, MOSFET, 330 A 40 V Förbättring, 4 Ben, SO-8, SQJ138EP

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
210-5027
Tillv. art.nr:
SQJ138EP-T1_GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

330A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

SO-8

Serie

SQJ138EP

Typ av fäste

Yta

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

1.5mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal effektförlust Pd

312W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

58nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

1.12mm

Längd

6.25mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

5.26mm

Fordonsstandard

Nej

Vishay Automotive N-kanal 40 V (D-S) 175 °C MOSFET har PowerPAK SO-8L-kapseltyp.

TrenchFET Gen IV Power MOSFET

AEC-Q101-godkänd

100 % Rg och UIS-testad

<

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.