Vishay N Kanal, MOSFET, 330 A 40 V N, 8 Ben, PowerPAK SO-8L, SQ AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 878-895
- Tillv. art.nr:
- SQJ138EP-T1_NE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 1 enhet)*
18,14 kr
(exkl. moms)
22,68 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 17 maj 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Tejp(er) | Per tejp |
|---|---|
| 1 - 9 | 18,14 kr |
| 10 - 99 | 11,65 kr |
| 100 - 499 | 8,51 kr |
| 500 - 999 | 7,28 kr |
| 1000 + | 6,72 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 878-895
- Tillv. art.nr:
- SQJ138EP-T1_NE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 330A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | PowerPAK SO-8L | |
| Serie | SQ | |
| Typ av fäste | Ytmontering | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.028Ω | |
| Kanalläge | N | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 312W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 58nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Längd | 5mm | |
| Bredd | 6.25mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 330A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp PowerPAK SO-8L | ||
Serie SQ | ||
Typ av fäste Ytmontering | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.028Ω | ||
Kanalläge N | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 312W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 58nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 1.1mm | ||
Längd 5mm | ||
Bredd 6.25mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- GB
Vishays fordons-N-kanal MOSFET är speciellt utformad för att effektivt hantera varierande spänningstillämpningar, vilket säkerställer robust prestanda under krävande förhållanden, inklusive höga temperaturer.
TrenchFET Gen IV-teknik optimerar omkopplingsegenskaper och effektivitet
Klassad för en maximal dräneringskällspänning på 40 V, vilket ger mångsidig användningspotential
Har en låg påslagningsresistans på 0, 0018 Ohm vid 10 V, vilket säkerställer minimal effektförlust
AEC-Q101-kvalificerad, vilket garanterar tillförlitlighet i fordonsmiljöer
100 % R- och UIS-testad, vilket säkerställer hög kvalitet och tillförlitlighet
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 130 A 40 V N, 8 Ben, PowerPAK SO-8L, SQ AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 410 A 30 V Avskrivningar, 4 Ben, PowerPAK SO-8L AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 210 A 80 V, 8 Ben, PowerPAK SO-8L, SQJ AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 243 A 30 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK SO-8L AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 60 A 80 V, PowerPAK SO-8L
- Vishay 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 42 A 100 V, 8 Ben, PowerPAK SO-8L AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 350 A 40 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 85 A 40 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101