DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 4.2 A 20 V Förbättring, 6 Ben, TSOT, DMP2067 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 206-0109
- Tillv. art.nr:
- DMP2067LVT-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 50 enheter)*
151,60 kr
(exkl. moms)
189,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 250 enhet(er) från den 24 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 3,032 kr | 151,60 kr |
| 100 - 200 | 2,671 kr | 133,55 kr |
| 250 - 450 | 2,598 kr | 129,90 kr |
| 500 - 950 | 2,529 kr | 126,45 kr |
| 1000 + | 2,465 kr | 123,25 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 206-0109
- Tillv. art.nr:
- DMP2067LVT-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4.2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Serie | DMP2067 | |
| Kapseltyp | TSOT | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 65mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.2W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 15nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.4V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1mm | |
| Längd | 1.8mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4.2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Serie DMP2067 | ||
Kapseltyp TSOT | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 65mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 1.2W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 15nC | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.4V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1mm | ||
Längd 1.8mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
DiodesZetex 20 V P-kanalförstärkningsläge MOSFET är utformad för att minimera påslagningsresistansen samtidigt som den upprätthåller överlägsen omkopplingsprestanda, vilket gör den idealisk för högeffektiva strömhanteringstillämpningar. Grindkällans spänning är 8 V med 1,2 W termisk effektförlust.
Låg på-resistans
Låg ingångskapacitans
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 4.2 A 20 V Förbättring, 6 Ben, TSOT, DMP2067 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 5.5 A 20 V Förbättring, 6 Ben, TSOT, DMP2040UVT AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, 6 Ben, TSOT-26, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 4.2 A 60 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMP6110 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 4.5 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOT AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 5.2 A 20 V Förbättring, 6 Ben, TSOT AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 3.4 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOT AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 4.2 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMP AEC-Q101