DiodesZetex 1 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 3.4 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOT, DMN3061

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

82,25 kr

(exkl. moms)

102,75 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 475 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
25 +3,29 kr82,25 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
206-0083
Tillv. art.nr:
DMN3061SVT-7
Tillverkare / varumärke:
DiodesZetex
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

DiodesZetex

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

3.4A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

TSOT

Serie

DMN3061

Typ av fäste

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

200mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

0.7V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

3.5nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

1.08W

Transistorkonfiguration

Dubbel

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

0.9mm

Längd

2.9mm

Standarder/godkännanden

No

Antal element per chip

1

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
DiodesZetex 30 V MOSFET med dubbelt N-kanalförstärkningsläge är utformad för att minimera påslagningsresistansen samtidigt som den upprätthåller överlägsen omkopplingsprestanda, vilket gör den idealisk för högeffektiva strömhanteringstillämpningar. Grindkällans spänning är 20 V med 0,88 W termisk effektförlust.

Låg ingångskapacitans

Snabb kopplingshastighet

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.