DiodesZetex 2 Typ N, Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 4.6 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOT
- RS-artikelnummer:
- 182-6878
- Tillv. art.nr:
- DMC3071LVT-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
4 302,00 kr
(exkl. moms)
5 376,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 3 000 enhet(er) levereras från den 14 juli 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 1,434 kr | 4 302,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 182-6878
- Tillv. art.nr:
- DMC3071LVT-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | Typ N, Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4.6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | TSOT | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 140mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.8V | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.1W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 2.1nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 3mm | |
| Bredd | 1.7mm | |
| Standarder/godkännanden | UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101 | |
| Höjd | 0.9mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp Typ N, Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4.6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp TSOT | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 140mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.8V | ||
Maximal effektförlust Pd 1.1W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 2.1nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 3mm | ||
Bredd 1.7mm | ||
Standarder/godkännanden UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101 | ||
Höjd 0.9mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Denna nya generation MOSFET är utformad för att minimera på-motståndet (RDS(on)) och ändå bibehålla överlägsen omkopplingsprestanda, vilket gör den idealisk för högeffektiva strömhanteringstillämpningar.
Lågt motstånd vid tändning
Låg ingångskapacitans
Snabb växlingshastighet
Lågt ingångs-/utgångsläckage
Helt blyfri
Halogen- och antimonfri. Grön enhet
Användningsområden
Bakgrundsbelyst
DC/DC-omvandlare
Strömhanteringsfunktioner
Relaterade länkar
- DiodesZetex 2 Typ N, Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 4.6 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOT
- DiodesZetex Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 4.6 A 20 V Förbättring, 6 Ben, TSOT-26, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N, Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 4 A 20 V Förbättring, 6 Ben, TSOT
- DiodesZetex 2 Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 2.8 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOT, DMP3164
- DiodesZetex 2 Typ P, Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 3.6 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOT, DMC3060
- DiodesZetex 1 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 3.4 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOT, DMN3061
- DiodesZetex Typ N, Typ P Kanal, MOSFET, 4.6 A 20 V Förbättring, 6 Ben, UDFN-2020
- DiodesZetex 2 Typ N, Typ P Kanal, MOSFET, 4.6 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363