DiodesZetex 2 Typ N, Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 4 A 20 V Förbättring, 6 Ben, TSOT
- RS-artikelnummer:
- 182-6877
- Tillv. art.nr:
- DMC2057UVT-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 182-6877
- Tillv. art.nr:
- DMC2057UVT-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | Typ N, Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | TSOT | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 160mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.1W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.7V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 4.7nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, AEC-Q101, MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0 | |
| Höjd | 0.9mm | |
| Längd | 3mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp Typ N, Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp TSOT | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 160mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 1.1W | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.7V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 4.7nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Standarder/godkännanden RoHS, AEC-Q101, MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0 | ||
Höjd 0.9mm | ||
Längd 3mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Denna nya generation MOSFET är utformad för att minimera på-motståndet (RDS(ON)) och ändå bibehålla överlägsen omkopplingsprestanda, vilket gör den idealisk för högeffektiva strömhanteringstillämpningar.
Lågt motstånd vid tändning
Låg ingångskapacitans
Snabb växlingshastighet
Lågt ingångs-/utgångsläckage
Helt blyfri
Halogen- och antimonfri. Grön enhet.
Användningsområden
Bakgrundsbelyst
DC/DC-omvandlare
Strömhanteringsfunktioner
Relaterade länkar
- DiodesZetex 2 Typ N, Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 4 A 20 V Förbättring, 6 Ben, TSOT
- DiodesZetex 2 Typ N, Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 4.6 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOT
- DiodesZetex 2 Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 2.8 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOT, DMP3164
- DiodesZetex 2 Typ P, Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 3.6 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOT, DMC3060
- DiodesZetex 1 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 3.4 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOT, DMN3061
- DiodesZetex Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 4.6 A 20 V Förbättring, 6 Ben, TSOT-26, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 5.5 A 20 V Förbättring, 6 Ben, TSOT, DMP2040UVT AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 4.2 A 20 V Förbättring, 6 Ben, TSOT, DMP2067 AEC-Q101