STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, H2PAK-2, SiC MOSFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

149,07 kr

(exkl. moms)

186,34 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 25 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 49149,07 kr
50 - 99115,58 kr
100 - 249105,28 kr
250 - 499102,70 kr
500 +100,02 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
201-4416
Tillv. art.nr:
SCT20N120H
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

20A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Serie

SiC MOSFET

Kapseltyp

H2PAK-2

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

203mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

150W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

45nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

15.8mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

10.4mm

Fordonsstandard

Nej

The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. The SiC material has outstanding thermal properties.

Very tight variation of on-resistance vs. temperature

Very high operating junction temperature capability

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

Relaterade länkar