STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, H2PAK-2, SiC MOSFET
- RS-artikelnummer:
- 201-4416
- Tillv. art.nr:
- SCT20N120H
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
116,48 kr
(exkl. moms)
145,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 30 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 116,48 kr |
| 10 - 499 | 113,12 kr |
| 500 - 999 | 111,78 kr |
| 1000 + | 110,43 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 201-4416
- Tillv. art.nr:
- SCT20N120H
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 20A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Kapseltyp | H2PAK-2 | |
| Serie | SiC MOSFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 203mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 45nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 150W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 10.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 15.8mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 20A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Kapseltyp H2PAK-2 | ||
Serie SiC MOSFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 203mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 45nC | ||
Maximal effektförlust Pd 150W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 10.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 15.8mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
STMicroelectronics silikonkarbid Power MOSFET tillverkas med hjälp av de avancerade, innovativa egenskaperna hos breda bandgap-material. SiC-materialet har enastående termiska egenskaper.
Mycket snäva variationer av på-motstånd vs. temperatur
Mycket hög kopplingstemperaturkapacitet
Mycket snabb och robust inre kroppsdiod
Låg kapacitans
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, H2PAK-2, SiC MOSFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, SiC-effektmodul, 55 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, H2PAK-7
- STMicroelectronics Typ N Kanal, 55 A 650 V Förbättring, 7 Ben, H2PAK-7, STPOWER Gen3 SiC MOSFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 33 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, H2PAK, SCTH40N
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, H2PAK-7
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, H2PAK, STB37N60
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, H2PAK-7, SCT
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 1.5 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, H2PAK-2, MDmesh K5