STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 20 A 1.2 kV Förbättring, 3 Ben, H2PAK-2, SiC MOSFET
- RS-artikelnummer:
- 201-4416
- Tillv. art.nr:
- SCT20N120H
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 201-4416
- Tillv. art.nr:
- SCT20N120H
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 20A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1.2kV | |
| Serie | SiC MOSFET | |
| Kapseltyp | H2PAK-2 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 203mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 150W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 45nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 25V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4.7mm | |
| Längd | 15.8mm | |
| Höjd | 10.4mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 20A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1.2kV | ||
Serie SiC MOSFET | ||
Kapseltyp H2PAK-2 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 203mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 150W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 45nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 25V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4.7mm | ||
Längd 15.8mm | ||
Höjd 10.4mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
STMicroelectronics silikonkarbid Power MOSFET tillverkas med hjälp av de avancerade, innovativa egenskaperna hos breda bandgap-material. SiC-materialet har enastående termiska egenskaper.
Mycket snäva variationer av på-motstånd vs. temperatur
Mycket hög kopplingstemperaturkapacitet
Mycket snabb och robust inre kroppsdiod
Låg kapacitans
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 20 A 1.2 kV Förbättring, 3 Ben, H2PAK-2, SiC MOSFET
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 33 A 1.2 kV Förbättring, 7 Ben, H2PAK, SCTH40N
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 12 A 1.2 kV Förbättring, 3 Ben, H2PAK, STB37N60
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 40 A 1.2 kV Förbättring, 7 Ben, H2PAK-7, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, 55 A 650 V Förbättring, 7 Ben, H2PAK-7, STPOWER Gen3 SiC MOSFET
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 100 A 1.2 kV, 7 Ben, H2PAK-7, SCT0 AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, SiC-effektmodul, 55 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, H2PAK-7, SCTH50N120-7
- Starpower Enkel omkopplare Kanal, SiC Mosfet utan diod, 37 A 1.2 kV Förbättring, 4 Ben, Tejp och rulle, DOSEMI