STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 12 A 1.2 kV Förbättring, 3 Ben, H2PAK, STB37N60
- RS-artikelnummer:
- 233-3040
- Tillv. art.nr:
- STH12N120K5-2
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Antal (1 rulle med 1000 enheter)*
81 226,00 kr
(exkl. moms)
101 532,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | 81,226 kr | 81 226,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 233-3040
- Tillv. art.nr:
- STH12N120K5-2
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 12A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1.2kV | |
| Kapseltyp | H2PAK | |
| Serie | STB37N60 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 690mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 250W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 44.2nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 4.8mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 15.8mm | |
| Längd | 10.4mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 12A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1.2kV | ||
Kapseltyp H2PAK | ||
Serie STB37N60 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 690mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 250W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 44.2nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 4.8mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 15.8mm | ||
Längd 10.4mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
STMicroelectronics effekt-MOSFET med N-kanal för mycket hög spänning är utformade med MDmeshTM K5-teknik baserad på en innovativ egenutvecklad vertikal struktur. Resultatet är en dramatisk minskning av påslagningsresistans och ultralåg grindladdning för tillämpningar som kräver överlägsen effekttäthet och hög effektivitet.
Världens bästa FOM (meritfaktor)
Ultralåg grindladdning
100 % avalanche-testade
Zener-skyddad
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 12 A 1.2 kV Förbättring, 3 Ben, H2PAK, STB37N60
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 20 A 1.2 kV Förbättring, 3 Ben, H2PAK-2, SiC MOSFET
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 33 A 1.2 kV Förbättring, 7 Ben, H2PAK, SCTH40N
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 7 A 1.2 kV Förbättring, 3 Ben, Tejp och rulle
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 40 A 1.2 kV Förbättring, 7 Ben, H2PAK-7, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 100 A 1.2 kV, 7 Ben, H2PAK-7, SCT0 AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 36 A 1.2 kV Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SCTW40N
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 91 A 1.2 kV Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SCTW70N