STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 12 A 1.2 kV Förbättring, 3 Ben, H2PAK, STB37N60

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

81 226,00 kr

(exkl. moms)

101 532,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +81,226 kr81 226,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
233-3040
Tillv. art.nr:
STH12N120K5-2
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

12A

Maximal källspänning för dränering Vds

1.2kV

Serie

STB37N60

Kapseltyp

H2PAK

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

690mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

250W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

44.2nC

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

15.8mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

4.8mm

Längd

10.4mm

Fordonsstandard

Nej

STMicroelectronics effekt-MOSFET med N-kanal för mycket hög spänning är utformade med MDmeshTM K5-teknik baserad på en innovativ egenutvecklad vertikal struktur. Resultatet är en dramatisk minskning av påslagningsresistans och ultralåg grindladdning för tillämpningar som kräver överlägsen effekttäthet och hög effektivitet.

Världens bästa FOM (meritfaktor)

Ultralåg grindladdning

100 % avalanche-testade

Zener-skyddad

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.