STMicroelectronics N Kanal, SiC-effektmodul, 55 A 1.2 kV Förbättring, 7 Ben, H2PAK-7, SCTH50N120-7
- RS-artikelnummer:
- 204-3954
- Tillv. art.nr:
- SCTH50N120-7
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 204-3954
- Tillv. art.nr:
- SCTH50N120-7
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | SiC-effektmodul | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id) | 55 A | |
| Maximal källspänning för dränering (Vds) | 1.2 kV | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Antal ben | 7 | |
| Kapseltyp | H2PAK-7 | |
| Serie | SCTH50N120-7 | |
| Maximal drain-källresistans (Rds) | 0.065 Ω | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp SiC-effektmodul | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id) 55 A | ||
Maximal källspänning för dränering (Vds) 1.2 kV | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Antal ben 7 | ||
Kapseltyp H2PAK-7 | ||
Serie SCTH50N120-7 | ||
Maximal drain-källresistans (Rds) 0.065 Ω | ||
Typ av fäste Yta | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties ofwide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature.
Very tight variation of on-resistance vs.
temperature
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitance
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, 55 A 650 V Förbättring, 7 Ben, H2PAK-7, STPOWER Gen3 SiC MOSFET
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 55 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, H2PAK-7, SCT025H120G3AG AEC-Q101
- STMicroelectronics, SiC-effektmodul, 75 A 1200 V Förbättring, ACEPACK 2, A2F AEC-Q101
- STMicroelectronics, MOSFET, 55 A 1200 V, H2PAK-7, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, SiC-effektmodul, 12 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SCT10N120H
- STMicroelectronics N Kanal, SiC-effektmodul, 45 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SCT30N120H
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 60 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, H2PAK-7
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 30 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, H2PAK-7, SCT