Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 16 A 650 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK 8 x 8, EF
- RS-artikelnummer:
- 200-6812
- Tillv. art.nr:
- SIHH186N60EF-T1GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
295,01 kr
(exkl. moms)
368,76 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 04 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 59,002 kr | 295,01 kr |
| 25 - 45 | 43,702 kr | 218,51 kr |
| 50 - 120 | 36,556 kr | 182,78 kr |
| 125 - 245 | 32,48 kr | 162,40 kr |
| 250 + | 30,688 kr | 153,44 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 200-6812
- Tillv. art.nr:
- SIHH186N60EF-T1GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 16A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | PowerPAK 8 x 8 | |
| Serie | EF | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 193mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 32nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 114W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 1.05mm | |
| Höjd | 8.1mm | |
| Längd | 8.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 16A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp PowerPAK 8 x 8 | ||
Serie EF | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 193mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 32nC | ||
Maximal effektförlust Pd 114W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 1.05mm | ||
Höjd 8.1mm | ||
Längd 8.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay SIHH186N60EF-T1GE3 är en EF-serie effekt-MOSFET med snabb kroppsdiod.
4:e generationens E-seriens teknik
Låg meritfaktor
Låg effektiv kapacitans
Minskade kopplings- och ledningsförluster
Avalanche Energy Rating (UIS)
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 16 A 650 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK 8 x 8, EF
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 23 A 650 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK 8 x 8, EF
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 36 A 650 V Förbättring, 5 Ben, PowerPAK 8 x 8, EF
- Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 31 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, EF
- Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 38 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, EF
- Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 26 A 650 V Avskrivningar, 4 Ben, PowerPAK 8 x 8, EF AEC-Q101
- Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 33 A 650 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, EF AEC-Q101
- Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 40 A 650 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, EF AEC-Q101