Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 16 A 650 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK 8 x 8, EF

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

79 026,00 kr

(exkl. moms)

98 784,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 05 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +26,342 kr79 026,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
200-6811
Tillv. art.nr:
SIHH186N60EF-T1GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

16A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Kapseltyp

PowerPAK 8 x 8

Serie

EF

Typ av fäste

Yta

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

193mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

32nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

114W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

1.05mm

Höjd

8.1mm

Längd

8.1mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

Vishay SIHH186N60EF-T1GE3 är en EF-serie effekt-MOSFET med snabb kroppsdiod.

4:e generationens E-seriens teknik

Låg meritfaktor

Låg effektiv kapacitans

Minskade kopplings- och ledningsförluster

Avalanche Energy Rating (UIS)

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.