Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 38 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, EF

RS-artikelnummer:: 653-077
Tillv. art.nr:: SIHR100N60EF-T1GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 38 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, EF

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

108 462,00 kr

(exkl. moms)

135 576,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Sista RS lager

Slutlig(a) 3 000 enhet(er), redo att levereras

Enheter	Per enhet	Per rulle*
3000 +	36,154 kr	108 462,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 653-077
Tillv. art.nr:: SIHR100N60EF-T1GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Kanaltyp	Typ N
	Produkttyp	Effekt-MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	38A
	Maximal källspänning för dränering Vds	600V
	Kapseltyp	PowerPAK
	Serie	EF
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	0.108Ω
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	30V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	35nC
	Maximal effektförlust Pd	347W
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Bredd	8mm
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Längd	10.42mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Kanaltyp Typ N
	Produkttyp Effekt-MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 38A
	Maximal källspänning för dränering Vds 600V
	Kapseltyp PowerPAK
	Serie EF
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 0.108Ω
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 35nC
	Maximal effektförlust Pd 347W
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Bredd 8mm
	Standarder/godkännanden RoHS
	Längd 10.42mm
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - SIHR100N60EF-T1GE3

COO (ursprungsland):: CN

Vishay EF-serien effekt-MOSFET, 600 V drain-källspänning, 38 A maximal kontinuerlig drain-ström – SIHR100N60EF-T1GE3

Denna effekt-MOSFET är en högspännings-N-kanal-omkopplare som är utformad för ytmonterad strömomvandling och omkopplingstillämpningar. Den fungerar inom ett brett temperaturområde som är lämpligt för krävande industriella miljöer och är avsedd för användning där robust hantering av dräneringskällspänning och förhöjd effektförlust krävs. Komponenten levereras i ett PowerPAK-paket med låg profil för att stödja kompakta kortlayouter och effektiv värmehantering.

Funktioner och fördelar:

• Maximal Vds på 600 V ger högspänningsomkopplingsförmåga • Kontinuerlig dräneringsström på 38 A möjliggör betydande belastningshantering • 0,108 Ω Rds(on) minimerar ledningsförluster vid nominell ström • Maximal Pd på 347 W stöder höga effektförlustbehov • 35 nC typisk grindladdning hjälper till att effektivisera omkopplingsprestanda

Användningsområden

• Lämpligt för switchade nätaggregat med hög spänning • Idealisk för industriella motorstyrningsväxelriktare • Används för effektfaktorkorrigeringskretsar i AC-system • Kan användas för DC-DC-omvandlare i automationsutrustning • Lämpligt för högspänningsomkoppling i strömfördelningsenheter

Vilka gränser bör jag observera för gate-drivspänning?

Gate-källspänningen får inte överstiga 30 V för att förhindra dielektrisk belastning på grinden.

Hur relaterar termisk hållbarhet till driftsgränser?

Enheten är klassad för drift upp till 150 °C kopplingstemperatur, vilket möjliggör kontinuerlig drift under förhöjda termiska förhållanden med lämplig kretskortsvärmesink.

Vilket är det acceptabla omgivningstemperaturområdet för implementering?

Den stöder drift ned till -55 °C, vilket gör den lämplig för industriella miljöer med låga temperaturer.

Hur många stift ger paketet för kortanslutning?

Komponenten använder en 8-polig konfiguration i PowerPAK-förpackningen för ytmontering.

Är detta avsett för fordonskvalificering?

Det är inte specificerat att uppfylla fordonsstandardgodkännanden.