Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 3.8 A 200 V, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, TrenchFET
- RS-artikelnummer:
- 180-7820
- Tillv. art.nr:
- SI7119DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
35,31 kr
(exkl. moms)
44,14 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 8 790 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 + | 3,531 kr | 35,31 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 180-7820
- Tillv. art.nr:
- SI7119DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 3.8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 200V | |
| Kapseltyp | PowerPAK 1212-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.1Ω | |
| Maximal effektförlust Pd | 52W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 10.6nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | 50°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.07mm | |
| Standarder/godkännanden | IEC 61249-2-21 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3.8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 200V | ||
Kapseltyp PowerPAK 1212-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.1Ω | ||
Maximal effektförlust Pd 52W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 10.6nC | ||
Minsta arbetsstemperatur 50°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.07mm | ||
Standarder/godkännanden IEC 61249-2-21 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Vishay MOSFET
The Vishay surface mount P-channel PowerPAK-1212-8 MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 200V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has a drain-source resistance of 1050mohms at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 52W and continuous drain current of 3.8A. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. It has applications in the active clamp in intermediate DC/DC power supplies. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.
Features and Benefits
• Halogen free
• Low thermal resistance powerpak package with small size and low 1.07 mm profile
• Maximum dissipation power 52W
• Operating temperature ranges between -50°C and 150°C
• TrenchFET power MOSFET
Certifications
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg tested
• UIS tested
Relaterade länkar
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 3.8 A 200 V, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 18 A 30 V, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal Enkel, MOSFET, 18 A 20 V, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 27 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 23 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -104 A -20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8SH, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 35 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, TrenchFET Gen III
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 127.5 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Gen III