Vishay Typ P Kanal Enkel, MOSFET, 18 A 20 V, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, TrenchFET
- RS-artikelnummer:
- 180-7892
- Tillv. art.nr:
- SIS407ADN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 20 enheter)*
155,34 kr
(exkl. moms)
194,18 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 10 maj 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 7,767 kr | 155,34 kr |
| 200 - 480 | 7,616 kr | 152,32 kr |
| 500 - 980 | 5,975 kr | 119,50 kr |
| 1000 - 1980 | 4,816 kr | 96,32 kr |
| 2000 + | 4,379 kr | 87,58 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 180-7892
- Tillv. art.nr:
- SIS407ADN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 18A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Kapseltyp | PowerPAK 1212-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.009Ω | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 39.1W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 63nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Enkel | |
| Höjd | 0.79mm | |
| Längd | 3.61mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 18A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Serie TrenchFET | ||
Kapseltyp PowerPAK 1212-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.009Ω | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 39.1W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 63nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Enkel | ||
Höjd 0.79mm | ||
Längd 3.61mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Vishay MOSFET
Vishays MOSFET är en P-kanal, PowerPAK-1212-8-kapsel är en ny tidsprodukt med en dräneringskällspänning på 20 V och maximal grindkällspänning på 8 V. Den har ett drain-source-motstånd på 9 mohm vid en gate-source-spänning på 4,5 V. Den har en maximal effektförlust på 39.1 W. Denna produkt har optimerats för lägre omkopplings- och ledningsförluster. MOSFET erbjuder utmärkt effektivitet tillsammans med en lång och produktiv livslängd utan att kompromissa med prestanda eller funktionalitet.
Funktioner och fördelar
• Halogenfria
• Blyfri (Pb) komponent
• PowerPAK-paket med låg termisk resistans
• Driftstemperaturområden mellan -55 °C och 150 °C
• TrenchFET effekt MOSFET
Användningsområden
• Adapteromkopplare
• Batterihantering
• Lastomkopplare
Relaterade länkar
- Vishay Typ P Kanal Enkel, MOSFET, 18 A 20 V, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 18 A 30 V, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 3.8 A 200 V, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 27 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 23 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -104 A -20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8SH, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 35 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, TrenchFET Gen III
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 127.5 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Gen III