Vishay Typ P Kanal Enkel, MOSFET, 18 A 20 V, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, TrenchFET
- RS-artikelnummer:
- 180-7892
- Tillv. art.nr:
- SIS407ADN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 20 enheter)*
127,68 kr
(exkl. moms)
159,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 22 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 6,384 kr | 127,68 kr |
| 200 - 480 | 6,255 kr | 125,10 kr |
| 500 - 980 | 4,911 kr | 98,22 kr |
| 1000 - 1980 | 3,959 kr | 79,18 kr |
| 2000 + | 3,601 kr | 72,02 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 180-7892
- Tillv. art.nr:
- SIS407ADN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 18A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Kapseltyp | PowerPAK 1212-8 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.009Ω | |
| Maximal effektförlust Pd | 39.1W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 63nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | ±8 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Enkel | |
| Längd | 3.61mm | |
| Bredd | 3.61 mm | |
| Höjd | 0.79mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 18A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Serie TrenchFET | ||
Kapseltyp PowerPAK 1212-8 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.009Ω | ||
Maximal effektförlust Pd 39.1W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 63nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs ±8 V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Enkel | ||
Längd 3.61mm | ||
Bredd 3.61 mm | ||
Höjd 0.79mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Vishay MOSFET
The Vishay MOSFET is a P-channel, PowerPAK-1212-8 package is a new age product with a drain-source voltage of 20V and maximum gate-source voltage of 8V. It has a drain-source resistance of 9mohm at a gate-source voltage of 4.5V. It has a maximum power dissipation of 39.1W. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.
Features and Benefits
• Halogen free
• Lead (Pb) free component
• Low thermal resistance PowerPAK package
• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C
• TrenchFET power MOSFET
Applications
• Adaptor switches
• Battery management
• Load switches
Relaterade länkar
- Vishay Typ P Kanal Enkel 18 A 20 V PowerPAK 1212-8, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal 18 A 30 V PowerPAK 1212-8, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal 3.8 A 200 V PowerPAK 1212-8, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal 27 A 20 V Förbättring PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal 23 A 30 V Förbättring PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal 35 A 20 V Förbättring PowerPAK 1212-8, TrenchFET Gen III
- Vishay Typ P Kanal 127.5 A 20 V Förbättring PowerPAK 1212, TrenchFET Gen III
- Vishay 2 Typ P MOSFET 8 Ben TrenchFET