Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 2.3 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 180-7396
Tillv. art.nr:: SQ2308CES-T1_GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 2.3 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET AEC-Q101

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

6 975,00 kr

(exkl. moms)

8 718,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

Håller på att utgå

Slutlig(a) 21 000 enhet(er), redo att levereras

Enheter	Per enhet	Per rulle*
3000 +	2,325 kr	6 975,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 180-7396
Tillv. art.nr:: SQ2308CES-T1_GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	2.3A
	Maximal källspänning för dränering Vds	60V
	Kapseltyp	SOT-23
	Serie	TrenchFET
	Fästetyp	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	164mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	3.5nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20 V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	2W
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Längd	3.04mm
	Standarder/godkännanden	No
	Bredd	2.64 mm
	Höjd	1.12mm
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.3A
	Maximal källspänning för dränering Vds 60V
	Kapseltyp SOT-23
	Serie TrenchFET
	Fästetyp Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 164mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 3.5nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 2W
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Längd 3.04mm
	Standarder/godkännanden No
	Bredd 2.64 mm
	Höjd 1.12mm
	Fordonsstandard AEC-Q101

Datasheet

COO (ursprungsland):: CN

Vishay MOSFET

The Vishay surface mount N-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 60V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has drain-source resistance of 150mohm at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 2W and continuous drain current of 2.3A. The minimum and a maximum driving voltage for this transistor are 4.5V and 10V respectively. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 175°C

• TrenchFET power MOSFET

• Typical ESD performance 1500V

Applications

• Adaptor switch

• DC/DC converter

• Load switch

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg tested

• UIS tested