Vishay N Kanal, MOSFET, 2 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Få en mängdrabatt

Lägg till 100 till för att spara 209,70 kr

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

179,20 kr

(exkl. moms)

224,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 100 enhet(er) är redo att levereras
  • Dessutom levereras 1 875 enhet(er) från den 12 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
Besparing
25 - 757,168 kr179,20 kr-
100 - 4755,071 kr126,78 kr209,70 kr
500 - 9754,225 kr105,63 kr1 471,50 kr
1000 +3,584 kr89,60 kr3 584,00 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
178-3877
Tillv. art.nr:
SQ2364EES-T1_GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

2A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Serie

TrenchFET

Kapseltyp

SOT-23

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

600mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

8V

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

2nC

Maximal effektförlust Pd

3W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

1.02mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

1.4mm

Längd

3.04mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

RoHS-status: Undantagen

COO (ursprungsland):
CN

Vishay MOSFET


Vishays ytmonterade N-kanal MOSFET är en ny tidsålderprodukt med en dräneringskällspänning på 60 V och en maximal grindkällspänning på 8 V. Den har drain-source-motstånd på 240 mohm vid en gate-source-spänning på 4,5 V. Den har en maximal effektförlust på 3 W och kontinuerlig dräneringsström på 2 A. Den har en lägsta och högsta drivspänning på 1,5 V och 4,5 V. Den används i fordonstillämpningar. MOSFET har optimerats för lägre omkopplings- och ledningsförluster. MOSFET erbjuder utmärkt effektivitet tillsammans med en lång och produktiv livslängd utan att kompromissa med prestanda eller funktionalitet.

Funktioner och fördelar


• Halogenfria

• Fri från bly (Pb)

• Driftstemperaturområden mellan -55 °C och 175 °C

• TrenchFET effekt MOSFET

Certifieringar


• AEC-Q101

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg-testad

• UIS-testat

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.