Vishay Siliconix Typ N Kanal, MOSFET, 2 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 178-3877
- Tillv. art.nr:
- SQ2364EES-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay Siliconix
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 25 enheter)*
147,725 kr
(exkl. moms)
184,65 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- 3 250 enhet(er) levereras från den 10 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | 5,909 kr | 147,73 kr |
| 100 - 475 | 4,175 kr | 104,38 kr |
| 500 - 975 | 3,486 kr | 87,15 kr |
| 1000 + | 2,957 kr | 73,93 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 178-3877
- Tillv. art.nr:
- SQ2364EES-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay Siliconix
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay Siliconix | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 600mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 8 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 3W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 2nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 3.04mm | |
| Höjd | 1.02mm | |
| Bredd | 1.4 mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay Siliconix | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie TrenchFET | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 600mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 8 V | ||
Maximal effektförlust Pd 3W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 2nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 3.04mm | ||
Höjd 1.02mm | ||
Bredd 1.4 mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
RoHS-status: Undantagen
- COO (ursprungsland):
- CN
Vishay MOSFET
The Vishay surface mount N-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 60V and a maximum gate-source voltage of 8V. It has drain-source resistance of 240mohms at a gate-source voltage of 4.5V. It has a maximum power dissipation of 3W and continuous drain current of 2A. It has a minimum and a maximum driving voltage of 1.5V and 4.5V. It is used in automotive applications. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.
Features and Benefits
• Halogen free
• Lead (Pb) free
• Operating temperature ranges between -55°C and 175°C
• TrenchFET power MOSFET
Certifications
• AEC-Q101
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg tested
• UIS tested
Relaterade länkar
- Vishay Siliconix Typ N Kanal 2 A 60 V Förbättring SOT-23, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Typ P Kanal 2.2 A 80 V Förbättring SOT-23, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Typ N Kanal 2.3 A 60 V Förbättring SOT-23, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Typ P Kanal 16 A 80 V Förbättring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Typ P Kanal 2.68 A 20 V Förbättring SC-70, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Typ P Kanal 9.4 A 200 V Förbättring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Typ N Kanal 75 A 40 V Förbättring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Typ N Kanal 24.5 A 150 V Förbättring SO-8, TrenchFET AEC-Q101