Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 2.3 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 180-7943
- Tillv. art.nr:
- SQ2308CES-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 20 enheter)*
90,16 kr
(exkl. moms)
112,70 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 21 160 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 4,508 kr | 90,16 kr |
| 200 - 480 | 3,607 kr | 72,14 kr |
| 500 - 980 | 3,153 kr | 63,06 kr |
| 1000 - 1980 | 2,666 kr | 53,32 kr |
| 2000 + | 2,431 kr | 48,62 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 180-7943
- Tillv. art.nr:
- SQ2308CES-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2.3A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 164mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 3.5nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 2W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 1.12mm | |
| Längd | 3.04mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.3A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie TrenchFET | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 164mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 3.5nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 2W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 1.12mm | ||
Längd 3.04mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Vishay MOSFET
Vishays ytmonterade N-kanal MOSFET är en ny tidsålderprodukt med en dräneringskällspänning på 60 V och en maximal grindkällspänning på 20 V. Den har drain-source-motstånd på 150 mohm vid en gate-source-spänning på 10 V. Den har en maximal effektförlust på 2 W och kontinuerlig dräneringsström på 2,3 A. Minsta och maximala drivspänning för denna transistor är 4,5 V respektive 10 V. MOSFET har optimerats för lägre omkopplings- och ledningsförluster. MOSFET erbjuder utmärkt effektivitet tillsammans med en lång och produktiv livslängd utan att kompromissa med prestanda eller funktionalitet.
Funktioner och fördelar
• Halogenfria
• Fri från bly (Pb)
• Driftstemperaturområden mellan -55 °C och 175 °C
• TrenchFET effekt MOSFET
• Typisk ESD-prestanda 1500 V
Användningsområden
• Adapteromkopplare
• DC/DC-omvandlare
• Lastbrytare
Certifieringar
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg-testad
• UIS-testat
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 2.3 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -0.84 A -150 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -2.5 A -30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 4.1 A 40 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 2.2 A 80 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 40 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Typ N Kanal, MOSFET, 2 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Typ N Kanal, Enkla MOSFETs, 2.3 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SQ2308FES AEC-Q101