Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 2.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSH205G2 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 136-4849
- Tillv. art.nr:
- BSH205G2R
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 100 enheter)*
143,90 kr
(exkl. moms)
179,90 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 3 000 enhet(er) levereras från den 24 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 100 - 500 | 1,439 kr | 143,90 kr |
| 600 - 1400 | 1,184 kr | 118,40 kr |
| 1500 + | 1,026 kr | 102,60 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 136-4849
- Tillv. art.nr:
- BSH205G2R
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2.3A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Serie | BSH205G2 | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 170mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 3.7nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 6.25W | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 3mm | |
| Höjd | 1mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.3A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Serie BSH205G2 | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 170mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 3.7nC | ||
Maximal effektförlust Pd 6.25W | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 3mm | ||
Höjd 1mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
P-kanal MOSFET, Nexperia
MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors
Relaterade länkar
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 2.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSH205G2 AEC-Q101
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, -5.6 A -20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, -3.3 A -20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, -5.3 A -20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 1.5 A 40 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PMV250EPEA AEC-Q101
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 130 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS84 AEC-Q101
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 2 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, NX2301P AEC-Q101
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 230 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, NX3008PBK AEC-Q101
