Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 5.3 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- RS-artikelnummer:
- 180-8002
- Tillv. art.nr:
- SI4900DY-T1-E3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
115,02 kr
(exkl. moms)
143,78 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 4 730 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 11,502 kr | 115,02 kr |
| 100 - 240 | 10,942 kr | 109,42 kr |
| 250 - 490 | 8,613 kr | 86,13 kr |
| 500 - 990 | 7,47 kr | 74,70 kr |
| 1000 + | 6,093 kr | 60,93 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 180-8002
- Tillv. art.nr:
- SI4900DY-T1-E3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 5.3A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.058Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 13nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 3.1W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | IEC 61249-2-21 | |
| Höjd | 1.35mm | |
| Längd | 4.8mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5.3A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.058Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 13nC | ||
Maximal effektförlust Pd 3.1W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden IEC 61249-2-21 | ||
Höjd 1.35mm | ||
Längd 4.8mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay Siliconix SI4900DY-serien TrenchFET med dubbel N-kanal effekt-MOSFET har en dränerings-till-källspänning på 60 V. Den används i LCD-TV och CCFL-omvandlare.
Blyfria
Halogenfria
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 5.3 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay 2 Typ P, Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 5.3 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 20 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 9.5 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 2.3 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 45.5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET