Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 5

RS-artikelnummer:: 178-7484
Tillv. art.nr:: BSC039N06NSATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 5

Antal (5000 enheter, på en rulle med 5000)*

32 660,00 kr

(exkl. moms)

40 825,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

10 000 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
5000 +	6,532 kr	32 660,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 178-7484
Tillv. art.nr:: BSC039N06NSATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	100A
	Maximal källspänning för dränering Vds	60V
	Serie	OptiMOS 5
	Kapseltyp	TDSON
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	5.9mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal effektförlust Pd	69W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	27nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	-20V, +20V
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Bredd	5.35mm
	Höjd	1.1mm
	Längd	6.1mm
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 100A
	Maximal källspänning för dränering Vds 60V
	Serie OptiMOS 5
	Kapseltyp TDSON
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 5.9mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal effektförlust Pd 69W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 27nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Bredd 5.35mm
	Höjd 1.1mm
	Längd 6.1mm
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard Nej

BSC039N06NS OptiMOS Power-Transistor

RoHS-status: Undantagen

Infineon OptiMOS 5-serien MOSFET, 60 V maximal drain-källspänning, 100 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSC039N06NSATMA1

Denna MOSFET är en kompakt N-kanalsomkopplingsenhet som är utformad för tillämpningar med hög strömstyrka och erbjuder robust drift över ett brett temperaturområde. Den är avsedd för ytmonterad montering och ger effektiv lednings- och omkopplingsprestanda för krävande elektroniska system.

Funktioner och fördelar:

• Mycket låg påslagningsresistans på 5.9 mΩ ger minskade ledningsförluster
• Hög kontinuerlig dräneringsström 100 A som stöder hantering av tung belastning
• 60 V drain-source-klassning för robust spänningshuvudutrymme
• Låg grindladdning 27 nC möjliggör snabbare omkoppling och lägre drivenergi
• Maximal effektförlust på 69 W möjliggör kontinuerlig termisk belastning

Användningsområden

• Lämplig för synkrona buck-omvandlare i nätaggregat
• Idealisk för motorstyrningssteg som kräver hög kontinuerlig ström
• Används med DC/DC-omvandlare i telekommunikationsutrustning
• Kan användas för strömfördelningsmoduler för servrar och datacenter
• Lämplig för industriella switchnings- och strömhanteringsenheter

Vilka termiska extremer kan enheten tolerera under drift?

Den är specificerad för att fungera från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör användning i tuffa termiska miljöer.

Vilket paket och vilken monteringsmetod krävs för montering på kortet?

Komponenten levereras i en 8-stifts TDSON-kapsel utformad för ytmontering och omsmältningsprocesser.

Vad är kanalläget och hur påverkar det växlingen?

Den använder en N-kanalkonfiguration med förstärkningsläge som kräver en positiv gate-source-enhet för att leda och erbjuder kompatibilitet med konventionell switchtopologi på låg- och hög-sidan.

Vilken grinddrivningsspänningsgräns måste iakttas under konstruktionen?

Den maximala tillåtna gate-to-source-spänningen är 20 V och konstruktionerna bör hålla gate-exkurser inom detta tröskelvärde för att undvika skador.