Infineon N Kanal, MOSFET, 40 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 5

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

125,55 kr

(exkl. moms)

156,94 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 50 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 9012,555 kr125,55 kr
100 - 49010,125 kr101,25 kr
500 - 9907,885 kr78,85 kr
1000 - 24906,675 kr66,75 kr
2500 +6,507 kr65,07 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
906-4390
Tillv. art.nr:
BSZ042N06NSATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

40A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

TDSON

Serie

OptiMOS 5

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

6.3mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

27nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal effektförlust Pd

69W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

3.4mm

Bredd

3.4mm

Höjd

1.1mm

Fordonsstandard

Nej

RoHS-status: Undantagen

Infineon OptiMOS 5-serien MOSFET, 60 V drain-källspänning, 40 A kontinuerlig drain-ström – BSZ042N06NSATMA1


Denna MOSFET är en förstärkningsenhet med kisel-N-kanal avsedd för högeffektsomkoppling i ytmonteringstillämpningar. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är utformad för att hantera betydande strömmar och spänningar som är typiska för effektomvandling och omkopplingsfaser. Komponenten levereras i en TDSON-kapsel med låg profil som är lämplig för kompakta enheter där termiska och elektriska prestanda krävs.

Funktioner och fördelar:


• 60 V avtappningsklassning möjliggör robust omkoppling vid mellanspänning
• 40 A kontinuerlig strömkapacitet stöder kretsar med hög belastning
• Låg Rds(on) på 6.3 mΩ minskar ledningsförlusterna
• 27 nC typisk grindladdning möjliggör snabbare grindövergångar
• 69 W effektförlust möjliggör hållbar effekthantering

Användningsområden


• Lämplig för synkrona buck-omvandlarsteg
• Idealisk för halvbrygga för motordrivare
• Används med DC-DC-strömförsörjningsmoduler i servernät
• Kan användas för batterihantering och laddningskretsar

Vilka överväganden om grinddrivning bör jag ta hänsyn till?


Den typiska grindladdningen på 27 nC vid den angivna grindspänningen kräver en drivare som kan generera och sänka tillräckligt med toppström för att uppnå önskad omkopplingshastighet utan överdrivna övergångsförluster.

Hur påverkar förpackningen den termiska prestandan?


TDSON 8-stiftslayouten ger en bana med låg termisk resistans till kretskortet, vilket möjliggör effektiv värmeöverföring när den används med lämplig kopparyta och termiska ledningar för ökad strömförlust.

Vilket temperaturområde kan den tolerera under drift?


Den är klassad för att fungera över ett brett driftstemperaturfönster från djup kalla till höga temperaturer, vilket passar konstruktioner som utsätts för extrema förhållanden.

Hur påverkas omkopplingens beteende av enhetens egenskaper?


Kombinationen av låg påslagningsresistans och måttlig grindladdning balanserar låga ledningsförluster med kontrollerbara omkopplingsövergångar, vilket gör den lämplig för effektivitetsfokuserade effektsteg.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.