Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 5
- RS-artikelnummer:
- 906-4390
- Tillv. art.nr:
- BSZ042N06NSATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
119,62 kr
(exkl. moms)
149,52 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 50 enhet(er) från den 03 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 11,962 kr | 119,62 kr |
| 100 - 490 | 9,654 kr | 96,54 kr |
| 500 - 990 | 7,515 kr | 75,15 kr |
| 1000 - 2490 | 6,373 kr | 63,73 kr |
| 2500 + | 6,194 kr | 61,94 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 906-4390
- Tillv. art.nr:
- BSZ042N06NSATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 40A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Kapseltyp | TDSON | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 6.3mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 27nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 69W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 3.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 3.4mm | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 40A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Kapseltyp TDSON | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 6.3mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 27nC | ||
Maximal effektförlust Pd 69W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 3.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 3.4mm | ||
Höjd 1.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
RoHS-status: Undantagen
Infineon OptiMOS™5 Power MOSFETs
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 46 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 137 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 100 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS-TM5