onsemi 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 29 A 40 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 178-4470
- Tillv. art.nr:
- NVMFD5C478NLT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Alternativ
Denna produkt är för närvarande inte tillgänglig. Vi rekommenderar denna produkt istället.
Var (i en rulle med 1500)
12 022,50 kr
(exkl. moms)
15 028,12 kr
(inkl. moms)
- RS-artikelnummer:
- 178-4470
- Tillv. art.nr:
- NVMFD5C478NLT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 29A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | DFN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 14.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.84V | |
| Maximal effektförlust Pd | 23W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 6.3nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Längd | 5.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 6.1mm | |
| Höjd | 1.05mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 29A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp DFN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 14.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.84V | ||
Maximal effektförlust Pd 23W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 6.3nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Längd 5.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 6.1mm | ||
Höjd 1.05mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
Automotive Power MOSFET i ett 5 x 6 mm platt ledningspaket utformat för kompakta och effektiva konstruktioner och inklusive hög termisk prestanda. Vätbart flankalternativ tillgängligt för förbättrad optisk inspektion. Lämpligt för fordonstillämpningar.
Egenskaper
Låg påslagningsresistans
Hög strömkapacitet
PPAP-kompatibel
NVMFD5C478NLWF - Vätbar flankprodukt
Fördelar
Minimala ledningsförluster
Robust belastningsprestanda
Skydd mot spänningsöverbelastningsfel
Lämpliga för biltillämpningar
Förbättrad optisk inspektion
Användningsområden
Solenoiddrivare
Low-Side/High-Side-drivare
End Products
Motorstyrenheter för fordon
Bromssystem med låsskydd
Relaterade länkar
- onsemi 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 29 A 40 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- onsemi 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 25 A 80 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- onsemi 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 74 A 80 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- onsemi 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 27 A 40 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- onsemi 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 68 A 60 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- onsemi 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 127 A 40 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- onsemi 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 70 A 40 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- onsemi 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 52 A 40 V Förbättring, 8 Ben, DFN, NVMFD5C466NL AEC-Q101