onsemi 2 N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 68 A 60 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:

Alternativ

Denna produkt är för närvarande inte tillgänglig. Vi rekommenderar denna produkt istället.

presentation
onsemi 2 N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 68 A 60 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
RS-artikelnummer
178-4301

Var (i en rulle med 1500)

18 634,50 kr

(exkl. moms)

23 293,12 kr

(inkl. moms)

RS-artikelnummer:
178-4503
Tillv. art.nr:
NVMFD5C668NLT1G
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Kanaltyp

N

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

68A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

DFN

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

6.5mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

57.5W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

9.8nC

Framåtriktad spänning Vf

0.85V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

+175°C

Transistorkonfiguration

Dubbel

Standarder/godkännanden

No

Höjd

1.05mm

Längd

5.1mm

Bredd

6.1mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
MY
Litet fotavtryck (5 x 6 mm) för kompakt design

Låg RDS(on) för att minimera ledningsförluster

Låg QG och kapacitet för att minimera drivrutinsförluster

NVMFD5C668NLWF − Vätbart flankalternativ för förbättrad optisk inspektion

PPAP-kapacitet

Dessa enheter är blyfria

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.