onsemi 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 52 A 40 V Förbättring, 8 Ben, DFN, NVMFD5C466NL AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 172-3314
- Tillv. art.nr:
- NVMFD5C466NLT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig
- RS-artikelnummer:
- 172-3314
- Tillv. art.nr:
- NVMFD5C466NLT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 52A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | DFN | |
| Serie | NVMFD5C466NL | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 7.4mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 16nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 40W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 5.1mm | |
| Längd | 6.1mm | |
| Standarder/godkännanden | PPAP capable, AEC-Q101, RoHS | |
| Höjd | 1.05mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 52A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp DFN | ||
Serie NVMFD5C466NL | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 7.4mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 16nC | ||
Maximal effektförlust Pd 40W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 5.1mm | ||
Längd 6.1mm | ||
Standarder/godkännanden PPAP capable, AEC-Q101, RoHS | ||
Höjd 1.05mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Automotive Power MOSFET i ett 5 x 6 mm flatkabelpaket utformat för kompakta och effektiva konstruktioner och inklusive hög termisk prestanda. Vätbart flankalternativ tillgängligt för förbättrad optisk inspektion. MOSFET- och PPAP-kapacitet lämplig för fordonstillämpningar.
Litet fotavtryck (5 x 6 mm)
Kompakt design
Låg rDS(on)
Minimera ledningsförlusten
Låg QG och kapacitans
Minimera drivförluster
NVMFD5C446NLWF – vätbart flankalternativ
Förbättrad optisk inspektion
PPAP-kapacitet
Användningsområden
Solenoiddrivare
Low-Side/High-Side-drivare
Motorstyrenheter för fordon
Bromssystem med låsskydd
Relaterade länkar
- onsemi 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 52 A 40 V Förbättring, 8 Ben, DFN, NVMFD5C466NL AEC-Q101
- onsemi 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 52 A 40 V Förbättring, 8 Ben, DFN, NVMFD5C466NL AEC-Q101
- onsemi 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 25 A 80 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- onsemi 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 74 A 80 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- onsemi 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 27 A 40 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- onsemi 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 68 A 60 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- onsemi 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 127 A 40 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- onsemi 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 70 A 40 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101