onsemi 2 N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 52 A 40 V Förbättring, 8 Ben, DFN, NVMFD5C466NL AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
172-3314
Tillv. art.nr:
NVMFD5C466NLT1G
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Antal element per chip

2

Kanaltyp

N

Transistorkonfiguration

Dubbel

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id)

52 A

Maximal källspänning för dränering (Vds)

40 V

Kanalläge

Förbättring

Antal ben

8

Kapseltyp

DFN

Serie

NVMFD5C466NL

Fordonsstandard

AEC-Q101

Framåtriktad spänning (Vf)

900 mV

Höjd

1.05 mm

Längd

6.1 mm

Maximal drain-källresistans (Rds)

7.4 mΩ

Maximal spänning för grindkälla (Vgs)

20 V

Maximal arbetstemperatur

175 °C

Maximal effektförlust (Pd)

40 W

Minsta arbetsstemperatur

-55 °C

Typ av fäste

Yta

Standarder/godkännanden

PPAP capable, AEC-Q101, RoHS

Typisk grindladdning (Qg) @ Vgs

16 nC

Bredd

5.1 mm

Automotive Power MOSFET in a 5x6mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.

Small Footprint (5x6 mm)

Compact Design

Low rDS(on)

Minimize Conduction Loss

Low QG and Capacitance

Minimize Driver Losses

NVMFD5C446NLWF − Wettable Flank Option

Enhanced Optical Inspection

PPAP Capable

Applications

Solenoid driver

Low side / high side driver

Automotive engine controllers

Antilock braking systems

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.