onsemi 2 N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 27 A 40 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 178-4488
- Tillv. art.nr:
- NVMFD5C478NT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Antal (10 enheter, i en förpackning med 10)*
148,74 kr
(exkl. moms)
185,92 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- Leverans från den 07 oktober 2027
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 14,874 kr | 148,74 kr |
| 100 - 240 | 12,824 kr | 128,24 kr |
| 250 - 490 | 11,133 kr | 111,33 kr |
| 500 - 990 | 9,789 kr | 97,89 kr |
| 1000 + | 8,893 kr | 88,93 kr |
*vägledande pris
Alternativ
Denna produkt är för närvarande inte tillgänglig. Vi rekommenderar denna produkt istället.
Var (i en rulle med 1500)
13 375,50 kr
(exkl. moms)
16 719,38 kr
(inkl. moms)
- RS-artikelnummer:
- 178-4488
- Tillv. art.nr:
- NVMFD5C478NT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 27A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | DFN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 17mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.84V | |
| Maximal effektförlust Pd | 23W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 6.3nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | +175°C | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Bredd | 6.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 5.1mm | |
| Höjd | 1.05mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 27A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp DFN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 17mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.84V | ||
Maximal effektförlust Pd 23W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 6.3nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur +175°C | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Bredd 6.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 5.1mm | ||
Höjd 1.05mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
Relaterade länkar
- onsemi 2 N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 27 A 40 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- onsemi 2 N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 68 A 60 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- onsemi 2 N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 25 A 80 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- onsemi 2 N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 70 A 40 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- onsemi 2 N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 29 A 40 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- onsemi 2 N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 74 A 80 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- onsemi 2 N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 127 A 40 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- onsemi 2 N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 52 A 40 V Förbättring, 8 Ben, DFN, NVMFD5C466NL AEC-Q101