onsemi 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 27 A 40 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 178-4488
- Tillv. art.nr:
- NVMFD5C478NT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
148,74 kr
(exkl. moms)
185,92 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 09 september 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 14,874 kr | 148,74 kr |
| 100 - 240 | 12,824 kr | 128,24 kr |
| 250 - 490 | 11,133 kr | 111,33 kr |
| 500 - 990 | 9,789 kr | 97,89 kr |
| 1000 + | 8,893 kr | 88,93 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 178-4488
- Tillv. art.nr:
- NVMFD5C478NT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 27A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | DFN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 17mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.84V | |
| Maximal effektförlust Pd | 23W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 6.3nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Höjd | 1.05mm | |
| Bredd | 6.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 5.1mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 27A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp DFN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 17mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.84V | ||
Maximal effektförlust Pd 23W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 6.3nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Höjd 1.05mm | ||
Bredd 6.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 5.1mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
Automotive Power MOSFET i ett 5 x 6 mm platt ledningspaket utformat för kompakta och effektiva konstruktioner och inklusive hög termisk prestanda. Vätbart flankalternativ tillgängligt för förbättrad optisk inspektion. Lämpligt för fordonstillämpningar.
Egenskaper
Låg påslagningsresistans
Hög strömkapacitet
PPAP-kompatibel
NVMFD5C478NWF - produkt med våtbara flanker
Fördelar
Minimala ledningsförluster
Robust belastningsprestanda
Lämpliga för biltillämpningar
Förbättrad optisk inspektion
Användningsområden
Solenoiddrivare
Low-Side/High-Side-drivare
End Products
Motorstyrenheter för fordon
Bromssystem med låsskydd
Relaterade länkar
- onsemi 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 27 A 40 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- onsemi 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 25 A 80 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- onsemi 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 74 A 80 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- onsemi 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 68 A 60 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- onsemi 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 127 A 40 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- onsemi 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 70 A 40 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- onsemi 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 29 A 40 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- onsemi 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 52 A 40 V Förbättring, 8 Ben, DFN, NVMFD5C466NL AEC-Q101