onsemi 2 N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 70 A 40 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
178-4297
Tillv. art.nr:
NVMFD5C462NT1G
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Kanaltyp

N

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

70A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

DFN

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

5.4mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

0.86V

Maximal effektförlust Pd

50W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

16nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

+175°C

Transistorkonfiguration

Dubbel

Bredd

6.1mm

Längd

5.1mm

Höjd

1.05mm

Standarder/godkännanden

No

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
MY
Automotive Power MOSFET i ett 5 x 6 mm platt ledningspaket utformat för kompakta och effektiva konstruktioner och inklusive hög termisk prestanda. Vätbart flankalternativ tillgängligt för förbättrad optisk inspektion. Lämpligt för fordonstillämpningar.

Egenskaper

Låg påslagningsresistans

Hög strömkapacitet

Fördelar

Minimala ledningsförluster

Robust belastningsprestanda

Skydd mot spänningsöverbelastningsfel

Lämpliga för biltillämpningar

Användningsområden

Solenoiddrivare

Low-Side/High-Side-drivare

End Products

Motorstyrenheter för fordon

Bromssystem med låsskydd

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.