Vishay Siliconix Typ P Kanal, MOSFET, 9.4 A 200 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

48,29 kr

(exkl. moms)

60,36 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 9 090 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 +4,829 kr48,29 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
178-3873
Tillv. art.nr:
SQJ431AEP-T1_GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay Siliconix
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay Siliconix

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

9.4A

Maximal källspänning för dränering Vds

200V

Kapseltyp

SO-8

Serie

TrenchFET

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

760mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

55nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

68W

Framåtriktad spänning Vf

-1.2V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

1.07mm

Bredd

5 mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

5.99mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

RoHS-status: Undantagen

COO (ursprungsland):
CN
TrenchFET® power MOSFET

Relaterade länkar