Vishay Siliconix Typ P Kanal, MOSFET, 2.68 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-70, TrenchFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 178-3886
- Tillv. art.nr:
- SQA401EEJ-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay Siliconix
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 25 enheter)*
144,475 kr
(exkl. moms)
180,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 11 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | 5,779 kr | 144,48 kr |
| 100 - 475 | 4,27 kr | 106,75 kr |
| 500 - 975 | 3,463 kr | 86,58 kr |
| 1000 + | 2,80 kr | 70,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 178-3886
- Tillv. art.nr:
- SQA401EEJ-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay Siliconix
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay Siliconix | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2.68A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | SC-70 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 200mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 13.6W | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 4.2nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 2.2mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay Siliconix | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.68A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp SC-70 | ||
Serie TrenchFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 200mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 13.6W | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 4.2nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 2.2mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
RoHS-status: Undantagen
- COO (ursprungsland):
- CN
TrenchFET® effekt-MOSFET
Relaterade länkar
- Vishay Siliconix Typ P Kanal, MOSFET, 2.68 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-70, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Typ P Kanal, MOSFET, 10 A 30 V Förbättring, 6 Ben, SC-70, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Typ P Kanal, MOSFET, 10 A 40 V Förbättring, 6 Ben, SC-70-6L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Typ P Kanal, MOSFET, 9.4 A 200 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Typ P Kanal, MOSFET, 30 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Typ P Kanal, MOSFET, 16 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Förbättring, 6 Ben, SC-70-6L, TrenchFET
- Vishay Siliconix Typ N Kanal, MOSFET, 2 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET AEC-Q101