Vishay N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- RS-artikelnummer:
- 178-3670
- Tillv. art.nr:
- SiDR392DP-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
- RS-artikelnummer:
- 178-3670
- Tillv. art.nr:
- SiDR392DP-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 100A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 900μΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 125nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 125W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | +20V, +6V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 5.99mm | |
| Bredd | 5mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.07mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 100A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie TrenchFET | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 900μΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 125nC | ||
Maximal effektförlust Pd 125W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs +20V, +6V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 5.99mm | ||
Bredd 5mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.07mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
RoHS-status: Undantagen
TrenchFET® Gen IV effekt-MOSFET
Kylfunktionen på ovansidan ger ytterligare plats för värmeöverföring
Optimerat Qg, Qgd och Qgd/Qgs-förhållande minskar omkopplingsrelaterad effektförlust
Relaterade länkar
- Vishay Siliconix N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay Siliconix N Kanal, MOSFET, 60 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay Siliconix N Kanal, MOSFET, 14.4 A 250 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay Siliconix N Kanal, MOSFET, 60 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 58 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 18.7 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET