Vishay Siliconix Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

38 913,00 kr

(exkl. moms)

48 642,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 16 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +12,971 kr38 913,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
178-3670
Tillv. art.nr:
SiDR392DP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay Siliconix
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay Siliconix

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

100A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Serie

TrenchFET

Kapseltyp

SO-8

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

900μΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

6 V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

125nC

Maximal effektförlust Pd

125W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

5 mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

1.07mm

Längd

5.99mm

Fordonsstandard

Nej

RoHS-status: Undantagen

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Top side cooling feature provides additional venue for thermal transfer

Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching related power loss

Relaterade länkar