Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 14.9 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

RS-artikelnummer:: 180-8134
Tillv. art.nr:: SI4825DDY-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 14.9 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

31,79 kr

(exkl. moms)

39,74 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Sista RS lager

Slutlig(a) 2 110 enhet(er), redo att levereras

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
10 +	3,179 kr	31,79 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 180-8134
Tillv. art.nr:: SI4825DDY-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Kanaltyp	Typ P
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	14.9A
	Maximal källspänning för dränering Vds	30V
	Kapseltyp	SO-8
	Serie	TrenchFET
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	20.5mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	-1.2V
	Maximal effektförlust Pd	3.2W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	29.5nC
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Höjd	1.75mm
	Längd	5mm
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Kanaltyp Typ P
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 14.9A
	Maximal källspänning för dränering Vds 30V
	Kapseltyp SO-8
	Serie TrenchFET
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 20.5mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf -1.2V
	Maximal effektförlust Pd 3.2W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 29.5nC
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Höjd 1.75mm
	Längd 5mm
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard Nej

Datasheet

COO (ursprungsland):: CN

Vishay MOSFET

Vishays ytmonterade P-kanal MOSFET är en ny tidsålderprodukt med en dräneringskällspänning på 30 V och en maximal grindkällspänning på 25 V. Den har drain-source-motstånd på 12,5 mohm vid en gate-source-spänning på 10 V. Den har en maximal effektförlust på 5 W och kontinuerlig dräneringsström på 14,9 A. Den har en minsta och en högsta driftspänning på 4,5 V respektive 10 V. MOSFET har optimerats för lägre omkopplings- och ledningsförluster. MOSFET erbjuder utmärkt effektivitet tillsammans med en lång och produktiv livslängd utan att kompromissa med prestanda eller funktionalitet.

Funktioner och fördelar

• Halogenfria

• Fri från bly (Pb)

• Driftstemperaturområden mellan -55 °C och 150 °C

• TrenchFET effekt MOSFET

Användningsområden

• Lastväxlare

• Adapterswitch för bärbar dator

Certifieringar

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg-testad

• UIS-testat