Vishay Siliconix Typ N Kanal, MOSFET, 14.4 A 250 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

30 357,00 kr

(exkl. moms)

37 947,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 24 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +10,119 kr30 357,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
178-3665
Tillv. art.nr:
Si7190ADP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay Siliconix
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay Siliconix

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

14.4A

Maximal källspänning för dränering Vds

250V

Kapseltyp

SO-8

Serie

TrenchFET

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

110mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal effektförlust Pd

56.8W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

14.9nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Bredd

5 mm

Höjd

1.07mm

Längd

5.99mm

Fordonsstandard

Nej

RoHS-status: Undantagen

COO (ursprungsland):
CN
TrenchFET® power MOSFET

Low thermal resistance PowerPAK® package

Relaterade länkar