onsemi N Kanal, MOSFET, 44 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, FCPF
- RS-artikelnummer:
- 172-3426
- Tillv. art.nr:
- FCPF067N65S3
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
- RS-artikelnummer:
- 172-3426
- Tillv. art.nr:
- FCPF067N65S3
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 44A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | FCPF | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 67mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 78nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 46W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4.9mm | |
| Höjd | 16.07mm | |
| Längd | 10.36mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 44A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie FCPF | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 67mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 78nC | ||
Maximal effektförlust Pd 46W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4.9mm | ||
Höjd 16.07mm | ||
Längd 10.36mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
SuperFET® III MOSFET är ON Semiconductors helt nya högspännings-Super-Junction (SJ) MOSFET-familj som använder laddningsbalansteknik för utmärkt låg påslagningsresistans och lägre gate-laddningsprestanda. Denna avancerade teknik är skräddarsydd för att minimera ledningsförluster, ge överlägsen omkopplingsprestanda och motstå extrema dv/dt-hastigheter. Följaktligen är SuperFET III MOSFET mycket lämplig för olika kraftsystem för miniatyrisering och högre effektivitet.
700 V vid TJ = 150 oC
Högre systemtillförlitlighet vid lågtemperaturdrift
Ultralåg grindladdning (typ. Qg = 78 nC)
Lägre omkopplingsförlust
Låg effektiv utgångskapacitans (typ. Coss(eff.) = 715 pF)
Lägre omkopplingsförlust
Optimerad kapacitans
Lägre topp-Vds och lägre Vgs-oscillation
Typiskt RDS(on) = 62 mΩ
Wave-lödgaranti
Dator
Telekommunikation
Industri
Telekom/server
Solväxelriktare/UPS
EVC
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 44 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, FCPF
- onsemi N Kanal, MOSFET, 44 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, FCP
- onsemi N Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- onsemi N Kanal, MOSFET, 36 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- onsemi N Kanal, MOSFET, 40 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- onsemi N Kanal, MOSFET, 20 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- onsemi N Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- onsemi N Kanal, MOSFET, 44 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, FCH067N65S3