onsemi N Kanal, MOSFET, 36 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
195-2515
Tillv. art.nr:
NTP095N65S3HF
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

36A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Kapseltyp

TO-220

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

95mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

66nC

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Maximal effektförlust Pd

272W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

9.4mm

Längd

10.67mm

Bredd

4.7mm

Fordonsstandard

Nej

SUPERFET III MOSFET är ON Semiconductors helt nya högspännings-Super-Junction (SJ) MOSFET-familj som använder laddningsbalansteknik för utmärkt låg påslagningsresistans och lägre gate-laddningsprestanda. Denna avancerade teknik är skräddarsydd för att minimera ledningsförluster, ge överlägsen omkopplingsprestanda och motstå extrema dv/dt-hastigheter. Följaktligen är SUPERFET III MOSFET mycket lämplig för de olika kraftsystemen för miniatyrisering och högre effektivitet. SUPERFET III FRFET MOSFET: s optimerade omvända återställningsprestanda för kroppsdioden kan ta bort ytterligare komponenter och förbättra systemets tillförlitlighet.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.