onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 44 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, FCP
- RS-artikelnummer:
- 172-4628
- Tillv. art.nr:
- FCP067N65S3
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
384,83 kr
(exkl. moms)
481,04 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 200 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 76,966 kr | 384,83 kr |
| 50 - 95 | 66,372 kr | 331,86 kr |
| 100 + | 62,90 kr | 314,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 172-4628
- Tillv. art.nr:
- FCP067N65S3
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 44A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | FCP | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 67mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 312W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 78nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 16.3mm | |
| Längd | 10.67mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 44A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie FCP | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 67mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 312W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 78nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 16.3mm | ||
Längd 10.67mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
SuperFET® III MOSFET är ON Semiconductors helt nya högspännings-Super-Junction (SJ) MOSFET-familj som använder laddningsbalansteknik för utmärkt låg påslagningsresistans och lägre gate-laddningsprestanda. Denna avancerade teknik är skräddarsydd för att minimera ledningsförluster, ge överlägsen omkopplingsprestanda och motstå extrema dv/dt-hastigheter. Följaktligen är SuperFET III MOSFET mycket lämplig för olika kraftsystem för miniatyrisering och högre effektivitet.
700 V vid TJ = 150 oC
Högre systemtillförlitlighet vid lågtemperaturdrift
Ultralåg grindladdning (typ. Qg = 30 nC)
Lägre omkopplingsförlust
Låg effektiv utgångskapacitans (typ. Coss(eff.) = 277 pF)
Lägre omkopplingsförlust
Optimerad kapacitans
Lägre topp-Vds och lägre Vgs-oscillation
Intern grindresistans: 7,0 ohm
Lägre topp-Vds och lägre Vgs-oscillation
Typiskt RDS(on) = 170 mΩ
Wave-lödgaranti
Dator
Konsument
Industri
Telekom/server
Solväxelriktare/UPS
EVC
Automatisering
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 44 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, FCP
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, FCP
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 44 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, FCPF
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 36 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220