onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- RS-artikelnummer:
- 189-0264
- Tillv. art.nr:
- NTPF190N65S3HF
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Antal (1 rör med 50 enheter)*
1 291,45 kr
(exkl. moms)
1 614,30 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 700 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 + | 25,829 kr | 1 291,45 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 189-0264
- Tillv. art.nr:
- NTPF190N65S3HF
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 20A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 190mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 34nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal effektförlust Pd | 36W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 16.12mm | |
| Längd | 10.63mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 20A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 190mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 34nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal effektförlust Pd 36W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 16.12mm | ||
Längd 10.63mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
SUPERFET III MOSFET är ON Semiconductors helt nya högspännings-Super-Junction (SJ) MOSFET-familj som använder laddningsbalansteknik för utmärkt låg påslagningsresistans och lägre gate-laddningsprestanda. Denna avancerade teknik är skräddarsydd för att minimera ledningsförluster, ge överlägsen omkopplingsprestanda och motstå extrema dv/dt-hastigheter. Följaktligen är SUPERFET III MOSFET mycket lämplig för de olika kraftsystemen för miniatyrisering och högre effektivitet. SUPERFET III FRFET MOSFET: s optimerade omvända återställningsprestanda för kroppsdioden kan ta bort ytterligare komponenter och förbättra systemets tillförlitlighet.
700 V vid TJ = 150 °C
Ultralåg grindladdning (typ. Qg = 35 nC)
Låg effektiv utgångskapacitans (typ. Coss(eff.) = 467 pF)
Låg effektiv utgångskapacitans (typ. Coss(eff.) = 467 pF)
Optimerad kapacitans
Typiskt RDS(on) = 161 mΩ
Högre systemtillförlitlighet vid lågtemperaturdrift
Lägre omkopplingsförlust
Lägre omkopplingsförlust
Högre systemtillförlitlighet i LLC- och fasförskjutningskrets med full brygga
Lägre topp-Vds och lägre Vgs-oscillation
Användningsområden
Dator
Konsument
Industri
End Products
Bärbar dator / stationär dator / spelkonsol
Telekom/server
LED-belysning/ballast
(PB-745) Adapter
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 36 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 15 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, UniFET
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, NTP
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 44 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, FCP