onsemi N Kanal, MOSFET, 40 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- RS-artikelnummer:
- 178-4602
- Tillv. art.nr:
- NTPF082N65S3F
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
75,71 kr
(exkl. moms)
94,64 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 266 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 75,71 kr |
| 10 + | 65,18 kr |
*vägledande pris
Alternativ
Denna produkt är för närvarande inte tillgänglig. Vi rekommenderar denna produkt istället.
Var (i ett rör med 50)
2 369,45 kr
(exkl. moms)
2 961,81 kr
(inkl. moms)
- RS-artikelnummer:
- 178-4602
- Tillv. art.nr:
- NTPF082N65S3F
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 40A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 82mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 70nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Maximal effektförlust Pd | 48W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 10.63mm | |
| Bredd | 4.9mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 16.12mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 40A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 82mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 70nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Maximal effektförlust Pd 48W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 10.63mm | ||
Bredd 4.9mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 16.12mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
SUPERFET III MOSFET är ON Semiconductors helt nya högspännings-Super-Junction (SJ) MOSFET-familj som använder laddningsbalansteknik för utmärkt låg påslagningsresistans och lägre gate-laddningsprestanda. Denna avancerade teknik är skräddarsydd för att minimera ledningsförluster, ge överlägsen omkopplingsprestanda och motstå extrema dv/dt-hastigheter.
Egenskaper
J
Ultralåg grindladdning (typ. Qg = 70 nC)
Låg effektiv utgångskapacitans (typ. Coss(eff.) = 680 pF)
Optimerad kapacitans
Utmärkt kroppsdiodprestanda (låg Qrr, robust kroppsdiod)
Typiskt RDS(on) = 70 mΩ
Högre systemtillförlitlighet vid lågtemperaturdrift
Lägre omkopplingsförlust
Lägre omkopplingsförlust
Lägre topp-Vds och lägre Vgs-oscillation
Högre systemtillförlitlighet i LLC- och fasförskjutningskrets med full brygga
Användningsområden
Telekommunikation
Molnsystem
Industri
End Products
Telekommunikationsströmförsörjning
Serverström
Solenergi/UPS
EV-laddare
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 40 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- onsemi N Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- onsemi N Kanal, MOSFET, 36 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- onsemi N Kanal, MOSFET, 20 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- onsemi N Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- onsemi N Kanal, MOSFET, 44 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, FCPF
- onsemi N Kanal, MOSFET, 44 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, FCP
- onsemi N Kanal, MOSFET, 15 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, UniFET