Sök efter MPN

Toshiba N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TSON

RS-artikelnummer:: 171-2390
Tillv. art.nr:: TPN2R304PL
Tillverkare / varumärke:: Toshiba

Toshiba N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TSON

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

83,95 kr

(exkl. moms)

104,94 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

14 860 enhet(er) levereras från den 30 september 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
10 +	8,395 kr	83,95 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 171-2390
Tillv. art.nr:: TPN2R304PL
Tillverkare / varumärke:: Toshiba

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Toshiba
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	100A
	Maximal källspänning för dränering Vds	40V
	Kapseltyp	TSON
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	4mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	41nC
	Maximal effektförlust Pd	104W
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Framåtriktad spänning Vf	-1.2V
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Bredd	3.1mm
	Längd	3.1mm
	Höjd	0.85mm
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Toshiba
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 100A
	Maximal källspänning för dränering Vds 40V
	Kapseltyp TSON
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 4mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 41nC
	Maximal effektförlust Pd 104W
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Framåtriktad spänning Vf -1.2V
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Bredd 3.1mm
	Längd 3.1mm
	Höjd 0.85mm
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard Nej

Datasheet

RoHS-status: Inte relevant

Högeffektiva DC/DC-omvandlare

Regulator för omkopplingsspänning

Motordrivkrets,

Höghastighetsswitchning

Liten grindladdning: QSW = 10,8 nC (typ.)

Liten utgångsladdning: Qoss = 27 nC (typ.)

Låg dränering-källa-motstånd på: RDS(ON) = 1,8 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

Låg läckström: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 40 V)

Förbättringsläge: Vth = 1,4 till 2,4 V (VDS = 10 V, ID = 0,3 mA)

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.