Toshiba 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 31 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TSON, U-MOSVIII-H
- RS-artikelnummer:
- 133-2811
- Tillv. art.nr:
- TPN11003NL,LQ(S
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 133-2811
- Tillv. art.nr:
- TPN11003NL,LQ(S
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Toshiba | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 31A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | TSON | |
| Serie | U-MOSVIII-H | |
| Typ av fäste | Ytmontering | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 16mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 19W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Enkel | |
| Bredd | 3.1mm | |
| Höjd | 0.85mm | |
| Längd | 3.1mm | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Toshiba | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 31A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp TSON | ||
Serie U-MOSVIII-H | ||
Typ av fäste Ytmontering | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 16mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 19W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Enkel | ||
Bredd 3.1mm | ||
Höjd 0.85mm | ||
Längd 3.1mm | ||
Antal element per chip 1 | ||
- COO (ursprungsland):
- JP
MOSFET-transistorer, Toshiba
Relaterade länkar
- Toshiba N Kanal, MOSFET, 22 A 80 V Förbättring, 8 Ben, TSON, U-MOSVIII-H
- Toshiba N Kanal, MOSFET, 32 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOP, U-MOSVIII-H
- Toshiba N Kanal, MOSFET, 38 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOP, U-MOSVIII-H
- Toshiba N Kanal, MOSFET, 40 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOP, U-MOSVIII-H
- Toshiba N Kanal, MOSFET, 15 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, U-MOSVIII-H
- Toshiba N Kanal, MOSFET, 263 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, U-MOSVIII-H
- Toshiba N Kanal, MOSFET, 157 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, U-MOSVIII-H
- Toshiba N Kanal, MOSFET, 92 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TSON