Sök efter MPN

Toshiba N Kanal, MOSFET, 92 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TSON

Name: Toshiba N Kanal, MOSFET, 92 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TSON
Brand: Toshiba
SKU: 171-2210
Availability: BackOrder

Mängdrabatt möjlig

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

37 565,00 kr

(exkl. moms)

46 955,00 kr

(inkl. moms)

Tillfälligt slut

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
5000 - 5000	7,513 kr	37 565,00 kr
10000 +	7,302 kr	36 510,00 kr

*vägledande pris

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Toshiba
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	92A
	Maximal källspänning för dränering Vds	40V
	Kapseltyp	TSON
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	6mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf	-1.2V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	27nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	86W
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Standarder/godkännanden	No
	Höjd	850μm
	Längd	3.1mm
	Bredd	3.1mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Toshiba
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 92A
	Maximal källspänning för dränering Vds 40V
	Kapseltyp TSON
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 6mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf -1.2V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 27nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 86W
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Standarder/godkännanden No
	Höjd 850μm
	Längd 3.1mm
	Bredd 3.1mm
	Fordonsstandard Nej

RoHS-status: Inte relevant

Högeffektiva DC/DC-omvandlare

Regulator för omkopplingsspänning

Motordrivkrets,

Höghastighetsswitchning

Liten grindladdning: QSW = 8,1 nC (typ.)

Liten utgångsladdning: Qoss = 20,2 nC (typ.)

Låg dränering-källa-motstånd på: RDS(ON) = 3,0 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

Låg läckström: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 40 V)

Förbättringsläge: V = 1,4 till 2,4 V (V = 10 V, I = 0,2 mA)

Relaterade länkar

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.