Sök efter MPN

Toshiba N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TSON

RS-artikelnummer:: 171-2208
Tillv. art.nr:: TPN2R304PL
Tillverkare / varumärke:: Toshiba

Toshiba N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TSON

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

33 210,00 kr

(exkl. moms)

41 510,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

10 000 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
5000 +	6,642 kr	33 210,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 171-2208
Tillv. art.nr:: TPN2R304PL
Tillverkare / varumärke:: Toshiba

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Toshiba
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	100A
	Maximal källspänning för dränering Vds	40V
	Kapseltyp	TSON
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	4mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	41nC
	Maximal effektförlust Pd	104W
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	-1.2V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Längd	3.1mm
	Höjd	0.85mm
	Standarder/godkännanden	No
	Bredd	3.1mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Toshiba
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 100A
	Maximal källspänning för dränering Vds 40V
	Kapseltyp TSON
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 4mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 41nC
	Maximal effektförlust Pd 104W
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf -1.2V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Längd 3.1mm
	Höjd 0.85mm
	Standarder/godkännanden No
	Bredd 3.1mm
	Fordonsstandard Nej

RoHS-status: Inte relevant

Högeffektiva DC/DC-omvandlare

Regulator för omkopplingsspänning

Motordrivkrets,

Höghastighetsswitchning

Liten grindladdning: QSW = 10,8 nC (typ.)

Liten utgångsladdning: Qoss = 27 nC (typ.)

Låg dränering-källa-motstånd på: RDS(ON) = 1,8 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

Låg läckström: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 40 V)

Förbättringsläge: Vth = 1,4 till 2,4 V (VDS = 10 V, ID = 0,3 mA)

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.