Toshiba N Kanal, MOSFET, 340 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOP

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

110,93 kr

(exkl. moms)

138,66 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 365 enhet(er) är redo att levereras
  • Dessutom levereras 4 095 enhet(er) från den 13 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 +22,186 kr110,93 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
171-2383
Tillv. art.nr:
TPHR8504PL
Tillverkare / varumärke:
Toshiba
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Toshiba

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

340A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

SOP

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

1.4mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

170W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

103nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

-1.2V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

5mm

Höjd

950μm

Bredd

5mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

RoHS-status: Inte relevant

Högeffektiva DC/DC-omvandlare

Regulator för omkopplingsspänning

Motordrivkrets,

Höghastighetsswitchning

Liten grindladdning: QSW = 23 nC (typ.)

Liten utgångsladdning: Qoss = 85,4 nC (typ.)

Låg dränering-källa-motstånd på: RDS(ON) = 0,7 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

Låg läckström: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 40 V)

Förbättringsläge: Vth = 1,4 till 2,4 V (VDS = 10 V, ID = 1,0 mA)

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.