Nexperia N Kanal, MOSFET, 335 mA 55 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSH111BK
- RS-artikelnummer:
- 170-5339
- Tillv. art.nr:
- BSH111BKR
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Antal (1 förpackning med 100 enheter)*
62,80 kr
(exkl. moms)
78,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 2 900 enhet(er) levereras från den 06 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 100 + | 0,628 kr | 62,80 kr |
*vägledande pris
Alternativ
Denna produkt är för närvarande inte tillgänglig. Vi rekommenderar denna produkt istället.
Var (i en rulle med 3000)
1 368,00 kr
(exkl. moms)
1 710,00 kr
(inkl. moms)
- RS-artikelnummer:
- 170-5339
- Tillv. art.nr:
- BSH111BKR
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 335mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Serie | BSH111BK | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 8.1Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 10V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.5nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.45W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 3mm | |
| Bredd | 1.4mm | |
| Höjd | 1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 335mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Serie BSH111BK | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 8.1Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 10V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.5nC | ||
Maximal effektförlust Pd 1.45W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 3mm | ||
Bredd 1.4mm | ||
Höjd 1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
MOSFET:er på logik- och standardnivå i en mängd olika kapslingar. Ta prov på våra robusta och lättanvända MOSFET-transistorer i 40 V till 60 V-området. De är perfekta för utrymmes- och strömkritiska tillämpningar, ger utmärkt omkopplingsprestanda och klassledande säkert driftsområde (SOA).
N-kanalförstärkningsläge Fälteffekttransistor (FET) i en liten SOT23 (TO-236AB) ytmonterad enhet (SMD) plastpaket med Trench MOSFET-teknik
Låg tröskelspänning
Mycket snabb omkoppling
Trench MOSFET-teknik
>
Relädrivare
Höghastighetsledningsdrivare
Lastomkopplare på låg sida
Omkopplingskretsar
Relaterade länkar
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 335 mA 55 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSH111BK
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 270 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 850 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSH103
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 150 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS123
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, 2N7002
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 190 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BST82
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 8.6 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PMV16XN
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 7.2 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PMV20XNE