STMicroelectronics N Kanal, SuperMESH effekt-MOSFET, 4 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SuperMESH

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

8 790,00 kr

(exkl. moms)

10 990,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 28 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +8,79 kr8 790,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
168-6689
Tillv. art.nr:
STB4NK60ZT4
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

SuperMESH effekt-MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

4A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Serie

SuperMESH

Kapseltyp

TO-263

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

2Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

70W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Framåtriktad spänning Vf

1.6V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

18.8nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

4.6mm

Längd

10.4mm

Standarder/godkännanden

JEDEC JESD97

Bredd

9.35mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanal MDmeshTM SuperMESHTM, 250 V till 650 V, STMicroelectronics


MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.