STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 5.8 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, MDmesh, SuperMESH

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

16 531,00 kr

(exkl. moms)

20 664,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +16,531 kr16 531,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
920-6639
Tillv. art.nr:
STB6NK90ZT4
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

5.8A

Maximal källspänning för dränering Vds

900V

Kapseltyp

TO-263

Serie

MDmesh, SuperMESH

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

2Ω

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

46.5nC

Maximal effektförlust Pd

140W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.6V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

10.4mm

Höjd

4.6mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

9.35mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanal MDmeshTM SuperMESHTM, 700 V till 1 200 V, STMicroelectronics


MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.