Infineon N Kanal, MOSFET, 37.9 A 650 V Förbättring, 4 Ben, TO-220, CoolMOS P6

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rör med 50 enheter)*

1 693,45 kr

(exkl. moms)

2 116,80 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 400 enhet(er) från den 20 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rör*
50 - 5033,869 kr1 693,45 kr
100 - 20032,175 kr1 608,75 kr
250 +30,144 kr1 507,20 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
168-5936
Tillv. art.nr:
IPP60R099P6XKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

37.9A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Serie

CoolMOS P6

Kapseltyp

TO-220

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

99mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

900mV

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

70nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

278W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-30V, +30V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

15.95mm

Bredd

4.57mm

Längd

10.36mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

Infineon CoolMOSTM P6-serien MOSFET, 37,9 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 278 W maximal effektförlust - IPP60R099P6XKSA1


Denna MOSFET är skräddarsydd för högpresterande tillämpningar i behov av effektiv strömhantering. Med en maximal kontinuerlig dräneringsström på 37,9 A och en dräneringskällspänning på 650 V utmärker den sig inom automations- och elektroniksektorer. Dess N-kanalkonfiguration i förstärkningsläge möjliggör effektiva omkopplingsmöjligheter, vilket gör den till ett föredraget alternativ för proffs inom el- och mekanikindustrin.

Funktioner & fördelar


• Låg RDS(on) på 99 mΩ förbättrar omkopplingseffektiviteten

• Kan avleda upp till 278 W för ökad hållbarhet

• Fungerar bra vid höga temperaturer på upp till +150 °C

• ESD-skydd över 2 kV säkerställer tillförlitlig drift

• Lämpligt för både hårda och mjuka omkopplingstillämpningar

• Förpackad i TO-220 för flexibla monteringsalternativ

Användningsområden


• Används i PFC-steg för effektiv strömomvandling

• Kan användas i hårt växlande PWM-steg för att öka prestandan

• Idealisk för resonanta omkopplingsstegen i olika elektroniska produkter

• Används i adaptrar och nätaggregat för elektroniska enheter

• Effektiv i industriella automationssystem som kräver hög effekt

Vilket är det lämpliga gate-source-spänningsområdet för drift?


Lämpligt gate-källspänningsområde för drift är -30 V till +30 V, vilket säkerställer säker och effektiv omkoppling.

Hur gynnar det låga RDS(on)-värdet strömeffektiviteten?


Det låga motståndet förbättrar energieffektiviteten genom att minska ledningsförluster, vilket leder till minskad värmegenerering under drift.

Vilken är den maximala effektförlustkapaciteten under användning?


Den maximala effektförlustkapaciteten under drift är 278 W, vilket möjliggör robusta prestanda under utmanande förhållanden.

Finns det några särskilda överväganden för att använda denna komponent i parallella konfigurationer?


Vid parallell användning är det lämpligt att använda ferritpärlor på grinden eller separata totempolar för att optimera prestanda och minimera oscillationer.

Vilka metoder för värmehantering bör implementeras?


Effektiva metoder för värmehantering inkluderar korrekt värmeavledning och övervakning av temperaturen under drift för att bibehålla prestandan inom specificerade gränser.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.