Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 37.9 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- RS-artikelnummer:
- 222-4640
- Tillv. art.nr:
- IPA60R099P6XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
64,29 kr
(exkl. moms)
80,362 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 860 enhet(er) från den 01 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 32,145 kr | 64,29 kr |
| 20 - 48 | 28,895 kr | 57,79 kr |
| 50 - 98 | 26,99 kr | 53,98 kr |
| 100 - 198 | 25,09 kr | 50,18 kr |
| 200 + | 23,465 kr | 46,93 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4640
- Tillv. art.nr:
- IPA60R099P6XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 37.9A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 99mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 37.9A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie CoolMOS | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 99mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons design av Cool MOSTM är en revolutionerande teknik för högspänningseffekts-MOSFET, utformad enligt super junction (SJ)-principen och banbrytande av Infineon Technologies. Cool MOSTM P6-serien kombinerar erfarenheten från den ledande SJ MOSFET-leverantören med innovation i högklass. De erbjudna enheterna ger alla fördelar med en snabb SJ MOSFET utan att kompromissa med användarvänligheten. Extremt låga omkopplings- och ledningsförluster gör omkopplingstillämpningar ännu mer effektiva, mer kompakta, lättare och svalare.
Ökad MOSFET dv/dt-robusthet
Extremt låga förluster tack vare mycket låg FOM Rdson*Qg och Eoss
Mycket hög motståndskraft vid kommutation
Blyfri plätering Halogenfri formförening
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 37.9 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 37.9 A 650 V Förbättring, 4 Ben, TO-220, CoolMOS P6
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 16 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 22 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 19 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 31 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 16 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS CP