IXYS N Kanal, MOSFET, 72 A 600 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET, Polar

Se alla MOSFET-transistor

Antal (10 enheter, i ett rör med 10)*

5 240,48 kr

(exkl. moms)

6 550,60 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 240 enhet(er) är redo att levereras
  • Dessutom levereras 100 enhet(er) från den 01 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
10 +524,048 kr5 240,48 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
168-4484
Tillv. art.nr:
IXFN82N60P
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

IXYS

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

72A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

SOT-227

Serie

HiperFET, Polar

Typ av fäste

Panel

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

75mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

240nC

Maximal effektförlust Pd

1.04kW

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-30V, +30V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

25.07mm

Längd

38.2mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

9.6mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanals effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™-serie


N-kanaliga effekt-MOSFET:er med snabb inbyggd diod (HiPerFET™) från IXYS

MOSFET-transistorer, IXYS


Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.