onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 8.4 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, PowerTrench
- RS-artikelnummer:
- 166-3419
- Tillv. art.nr:
- FDD4685
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Antal (2500 enheter, på en rulle med 2500)*
12 317,50 kr
(exkl. moms)
15 397,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 11 augusti 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 4,927 kr | 12 317,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 166-3419
- Tillv. art.nr:
- FDD4685
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 8.4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | PowerTrench | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 42mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 69W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 19nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 2.39mm | |
| Längd | 6.73mm | |
| Bredd | 6.22mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8.4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie PowerTrench | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 42mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Maximal effektförlust Pd 69W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 19nC | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 2.39mm | ||
Längd 6.73mm | ||
Bredd 6.22mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
P-kanal MOSFET för fordonsindustrin, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor tillhandahåller lösningar som löser komplexa utmaningar på fordonsmarknaden med en grundlig kunskap om kvalitets-, säkerhets- och tillförlitlighetsstandarder.
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 8.4 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, PowerTrench MOSFET, 50 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 6.7 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 6.7 A 12 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 55 A 35 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 11 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, PowerTrench AEC-Q101
- onsemi 2 Typ N, Typ P Kanal Gemensam drain, MOSFET, 9 A 40 V Förbättring, 5 Ben, TO-252, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 70 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, PowerTrench