onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 8.4 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, PowerTrench
- RS-artikelnummer:
- 809-0893
- Tillv. art.nr:
- FDD4685
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
67,82 kr
(exkl. moms)
84,78 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 10 enhet(er) är redo att levereras
- Plus 20 enhet(er) är redo att levereras från en annan plats
- Dessutom levereras 6 040 enhet(er) från den 01 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 6,782 kr | 67,82 kr |
| 100 - 240 | 5,846 kr | 58,46 kr |
| 250 - 490 | 5,066 kr | 50,66 kr |
| 500 - 990 | 4,456 kr | 44,56 kr |
| 1000 + | 4,049 kr | 40,49 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 809-0893
- Tillv. art.nr:
- FDD4685
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 8.4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | PowerTrench | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 42mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 19nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 69W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 6.22 mm | |
| Längd | 6.73mm | |
| Höjd | 2.39mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8.4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie PowerTrench | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 42mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 19nC | ||
Maximal effektförlust Pd 69W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 6.22 mm | ||
Längd 6.73mm | ||
Höjd 2.39mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
P-kanal MOSFET för fordonsindustrin, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor tillhandahåller lösningar som löser komplexa utmaningar på fordonsmarknaden med en grundlig kunskap om kvalitets-, säkerhets- och tillförlitlighetsstandarder.
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi Typ P Kanal 8.4 A 40 V Förbättring TO-252, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal 50 A 40 V Förbättring TO-252, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal 6.7 A 40 V Förbättring TO-252, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal 6.7 A 12 V Förbättring TO-252, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal 55 A 35 V Förbättring TO-252, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal 11 A 30 V Förbättring TO-252, PowerTrench AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal 50 A 40 V Förbättring TO-252, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal 160 A 30 V Förbättring TO-252, PowerTrench
