onsemi 2 Typ N, Typ P Kanal Gemensam drain, MOSFET, 9 A 40 V Förbättring, 5 Ben, TO-252, PowerTrench

För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
671-0356
Tillv. art.nr:
FDD8424H
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Antal element per chip

2

Kanaltyp

Typ N, Typ P

Transistorkonfiguration

Gemensam drain

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id)

9 A

Maximal källspänning för dränering (Vds)

40 V

Kanalläge

Förbättring

Antal ben

5

Kapseltyp

TO-252

Serie

PowerTrench

Höjd

2.39 mm

Längd

6.73 mm

Maximal drain-källresistans (Rds)

54 mΩ

Maximal spänning för grindkälla (Vgs)

20 V, -20 V

Maximal arbetstemperatur

150 °C

Maximal effektförlust (Pd)

3.1 W

Minsta arbetsstemperatur

-55 °C

Typ av fäste

Yta

Bredd

6.22 mm

PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor


PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.

The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this Advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.

Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi


ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.